光刻膠的種類很多，使用工藝條件依光刻膠的品種不同而有所不同，但大多工藝流程為：基片處理→涂膠→前烘→曝光→中烘→顯影→堅(jiān)膜→蝕刻(擴(kuò)散、金屬化)→去膠
(1)基片處理 ?基片處理包括脫脂清洗、高溫處理，有時(shí)還需涂黏附增強(qiáng)劑進(jìn)行表面改性處理。脫脂一般指采用溶劑或堿性脫脂劑進(jìn)行清洗，然后再用酸性清洗劑清洗，最后用純水清洗。高溫處理通常是在150~160°C對(duì)基片進(jìn)行烘烤去除表面水分。黏附增強(qiáng)劑的作用是將基片表面親水性改變?yōu)樵魉?，便于光刻膠的涂布，增加光刻膠在基片上的黏附性。
(2)涂膠 ?光刻膠的涂布方式有旋轉(zhuǎn)涂布(甩涂)、輥涂、浸涂及噴涂等多種，在光電子工業(yè)中應(yīng)用較多的是旋轉(zhuǎn)涂布。旋轉(zhuǎn)涂布的涂膠厚度主要取決于光刻膠的黏度和旋涂時(shí)的轉(zhuǎn)速。
(3)前烘 ?前烘的目的是為了去除膠膜中殘存的溶劑，消除膠膜的機(jī)械應(yīng)力。烘烤方式通常有對(duì)流烘箱和熱板兩種。前烘溫度和時(shí)間根據(jù)光刻膠種類和膠膜厚度而定。
(4)曝光 ?正確的曝光量是影響成像質(zhì)量的關(guān)鍵因素。曝光不足或曝過度都會(huì)影響復(fù)制圖形的再現(xiàn)性。光刻膠的曝光量取決光刻膠的種類及膜厚。曝光寬容度大有利于光刻膠的應(yīng)用。
(5)中烘 ?中烘為曝光后顯影前的烘烤，這對(duì)于光學(xué)增幅型光刻膠至關(guān)重要，中烘的好壞直接關(guān)系到復(fù)制圖形的質(zhì)量。
(6)顯影 ?光刻膠的顯影過程一般分為兩步：顯影和漂洗。顯影有浸入、噴淋等方式，在集成電路自動(dòng)生產(chǎn)線上多采用噴淋方式顯影。噴淋顯影由于有一定壓力，能較快顯出圖形，一般顯影時(shí)間少于1min。漂洗的作用也十分重要，對(duì)環(huán)化橡膠-雙疊氮系紫外負(fù)膠，在顯影時(shí)有溶脹現(xiàn)象，經(jīng)漂洗能使圖形收縮，有助于提高圖形質(zhì)量。
(7)堅(jiān)膜 ?堅(jiān)膜亦叫后烘，其作用是去除殘留的顯影液，并使膠膜韌化。隨后可進(jìn)行刻蝕、擴(kuò)散、金屬化等工藝。
(8)去膠 ?在完成刻蝕、擴(kuò)散、金屬化等工藝后，通常要將膠膜從基片上去除，去膠一搬采用專用去膠劑或氧等離子體干法去膠。
在實(shí)際制作集成電路或半導(dǎo)體分立器件時(shí)，往往需要多次甚至幾十次的光刻，每次光刻都需要完成上述的工序循環(huán)。
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